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Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPG20N06S2L35AATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 0,495€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4975 |
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IPG20N06S2L35ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, IPG20N06S2L35ATMA1, N-Canal-Canal, 20 A, 55 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS Simple Si.
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Precio unitario: 0,447€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3917 |
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IPG20N06S2L50ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 0,515€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1253 |
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IPG20N06S2L65AATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 55 V, 0.053 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 0,392€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4000 |
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IPG20N06S2L65ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 55 V, 0.053 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, IPG20N06S2L65ATMA1, N-Canal, 20 A, 55 V, 8-Pin, TDSON.
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Precio unitario: 0,389€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14858 |
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IPG20N06S415AATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 60 V, 0.0129 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,602€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9297 |
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IPG20N06S4L11ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 60 V, 0.0095 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,959€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10016 |
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IPG20N06S4L26AATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,325€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7557 |
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IPG20N06S4L26ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPG20N06S4L26ATMA1, Dual, N-Canal-Canal, 20 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS Aislado Si.
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Precio unitario: 0,311€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22490 |
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IPG20N10S4L22AATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,621€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8935 |
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IPG20N10S4L22ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,605€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14448 |
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IPG20N10S4L35ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4436 |
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IPI028N08N3 G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 3,434€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPI029N06NAKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 2.8 V, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3.
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Precio unitario: 0,780€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 407 |
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IPI075N15N3 G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 150 V, 0.0062 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 2,415€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |