Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores MOSFET
Mostrando 7927 referencias.
SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
---|---|---|---|---|---|
BSP321PH6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -980 mA, -100 V, 0.689 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -980mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, BSP321PH6327XTSA1, P-Canal, 980 mA, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.
|
Precio unitario: 0,258€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 547 |
|||
BSP322PH6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, BSP322PH6327XTSA1, P-Canal, 1 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.
|
Precio unitario: 0,229€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 290 |
|||
BSP324H6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 170 mA, 400 V, 13.6 ohm, 10 V, 1.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 170mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 400V
Otros nombres: MOSFET, BSP324H6327XTSA1, N-Canal-Canal, 170 mA, 400 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.
|
Precio unitario: 0,212€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 699 |
|||
BSP372NH6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.8 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSP372NH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 1,8 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 OptiMOS Simple Si.
|
Precio unitario: 0,248€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3936 |
|||
BSP373L6327HTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
Precio unitario: 0,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
BSP373NH6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.8 A, 100 V, 0.177 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSP373NH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 1,7 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.
|
Precio unitario: 0,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 146 |
|||
BSP716NH6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 75 V, 0.122 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V |
Precio unitario: 0,123€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 987 |
|||
BSP75G |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Modo de Enriquecimiento, Canal N, 1.4 A, 60 V, 0.55 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
Precio unitario: 0,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1349 |
|||
BSP75N |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Modo de Enriquecimiento, Canal N, 1.1 A, 60 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: IC: power switch; low-side; 700mA; Canales: 1; N-Channel; SMD; 1,8W, ICIFP44323.
|
Precio unitario: 0,411€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14242 |
|||
BSP88H6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 350 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 350mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 240V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0,35A; 1,8W; SOT223.
|
Precio unitario: 0,155€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 849 |
|||
BSP89,115 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 340 mA, 240 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 340mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 240V
Otros nombres: MOSFET, BSP89,115, N-Canal-Canal, 375 mA, 240 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 Simple Si.
|
Precio unitario: 0,156€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8816 |
|||
BSP89H6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 350 mA, 240 V, 4.2 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 350mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 240V
Otros nombres: MOSFET, BSP89H6327XTSA1, N-Canal-Canal, 350 mA, 240 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.
|
Precio unitario: 0,165€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 592 |
|||
BSP92PH6327XTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -260 mA, -250 V, 7.5 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -260mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -250V |
Precio unitario: 0,157€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 753 |
|||
BSR202NL6327HTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 20 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 950 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, BSR202NL6327HTSA1, N-Canal-Canal, 3,8 A, 20 V, 3-Pin, SOT-346 (SC-59) OptiMOS 2 Simple Si.
|
Precio unitario: 0,112€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3380 |
|||
BSR302NL6327HTSA1 |
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.7 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, BSR302NL6327HTSA1, N-Canal, 3,7 A, 30 V, 3-Pin, SOT-346 (SC-59).
|
Precio unitario: 0,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 840 |