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Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SH8M24GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V |
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Precio unitario: 0,388€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 67 |
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SH8M41GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SH8M41GZETB Dual N/P-Canal, 8-Pin, SOP.
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Precio unitario: 0,848€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 180 |
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SI1012CR-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 630mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1012CR-T1-GE3, N-Canal-Canal, 630 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-416 (SC-75 A) Simple Si, TMOSS6661.
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Precio unitario: 0,082€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 159420 |
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SI1013R-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -350 mA, -20 V, 0.8 ohm, -1.8 V, -450 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -350mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,275A; 0,08W; SC75A.
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2180 |
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SI1016CX-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 600 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1016CX-T1-GE3 Dual N/P-Canal, 600 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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SI1022R-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 330 mA, 60 V, 1.25 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 330mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOSS6298.
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Precio unitario: 0,148€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3792 |
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SI1026X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 305mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI1026X-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,151€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1028X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 480mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI1028X-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 480 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,072€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1029X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 305mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI1029X-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,152€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 726 |
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SI1031R-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -140 mA, -20 V, 8 ohm, -4.5 V, 900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -140mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOSS6113.
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Precio unitario: 0,117€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1050 |
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SI1032R-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 140 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 140mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1032R-T1-GE3, N-Canal-Canal, 200 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-416 (SC-75 A) Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 140 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 900 mV.
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Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16692 |
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SI1032X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1032X-T1-GE3, N-Canal-Canal, 200 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-416 (SC-75 A) Simple Si.
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Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 607 |
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SI1034CX-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 610 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 610mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Dual N-Ch MOSFET SC-89-6 20V 396 mohms @.
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Precio unitario: 0,099€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1040X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 430 mA, 8 V, 0.5 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 430mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V
Otros nombres: IC: power switch; high-side; 0,43A; Canales: 1; P-Channel; SMD, MOSFET Doble, Canal N y P, 430 mA, 8 V, 0.5 ohm, 4.5 V, 4.5 V.
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Precio unitario: 0,274€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4917 |
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SI1062X-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 530 mA, 20 V, 0.35 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 530mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1062X-T1-GE3, N-Canal-Canal, 530 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-523 (SC-89) Simple Si.
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Precio unitario: 0,058€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |