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Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI1912EDH-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.13 A, 20 V, 0.22 ohm, 4.5 V, 450 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1922EDH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1922EDH-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 1,3 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2140 |
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SI1926DL-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 370 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 370mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2820 |
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SI1967DH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI1967DH-T1-GE3, Dual, P-Canal, 1,1 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,130€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2908 |
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SI2300DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V.
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Precio unitario: 0,254€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4780 |
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SI2301BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -950 mV, Transistor MOSFET, SI2301BDS-T1-E3, P-Canal, 2,2 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23.
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Precio unitario: 0,207€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45000 |
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SI2301CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI2301CDS-T1-GE3, P-Canal, 2,3 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,147€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4091 |
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SI2302CDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI2302CDS-T1-E3, N-Canal, 2,6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23, MOSFET, SI2302CDS-T1-E3, N-Canal-Canal, 2,6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple.
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 26524 |
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SI2302CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,153€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18163 |
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SI2302DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI2302DDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-363 Simple.
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Precio unitario: 0,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4547 |
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SI2303CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.7 A, -30 V, 0.158 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI2303CDS-T1-GE3, P-Canal, 1,9 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, MOSFET, SI2303CDS-T1-GE3, P-Canal, 1.9 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13072 |
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SI2304BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,316€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2537 |
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SI2304DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI2304DDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3214 |
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SI2305CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V
Otros nombres: MOSFET, SI2305CDS-T1-GE3, P-Canal, 4,4 A, 8 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, MOSFET, SI2305CDS-T1-GE3, P-Canal, 4.4 A, 8 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,117€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40915 |
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SI2306BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15797 |