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Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4425BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -8.8A, SOIC-8, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4430BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 14A, SOIC-8 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 1,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1996 |
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SI4431BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5,7A; Idm: -30A; 0,9W; SO8.
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Precio unitario: 0,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4431CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI4431CDY-T1-GE3, P-Canal, 7,2 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12384 |
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SI4434ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.1 A, 250 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,761€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4435DDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -11.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2939 |
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SI4435DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.1 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI4435DDY-T1-GE3, P-Canal, 8,1 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,263€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3911 |
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SI4435DY. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1.7 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,307€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8253 |
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SI4435DYPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,364€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4435DYTRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 598 |
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SI4436DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI4436DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,347€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2240 |
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SI4447ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -7.2 A, -40 V, 0.036 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 40V 45mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 46498 |
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SI4459ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -29 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 30V 5mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,878€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6379 |
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SI4459BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -27.8 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -27.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,425€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4441 |
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SI4463BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 9.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,662€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4696 |