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Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SISS72DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25.5 A, 150 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,570€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS73DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16.2 A, -150 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: MOSFET, SISS73DN-T1-GE3, P-Canal, 16,2 A, 150 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.
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Precio unitario: 0,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |
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SISS92DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.3 A, 250 V, 0.14 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,469€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34 |
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SIUD401ED-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -500 mA, -30 V, 1.23 ohm, -10 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -500mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,094€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 100 |
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SIZ200DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 61 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 61A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIZ322DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 25 V, 0.00529 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,262€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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SIZ328DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 25 V, 0.008 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIZ340DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIZ340DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR PowerPAIR Serie Si.
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Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ348DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 30 V, 0.00593 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,389€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ350DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 30 V, 0.00563 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5674 |
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SIZ730DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,278€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ790DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ910DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,818€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ916DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2915 |
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SIZ918DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,419€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2955 |