Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores MOSFET
Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSZ130N03LSGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0108 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8.
|
|
Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7070 |
|
|
BSZ130N03MSGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, BSZ130N03MSGATMA1, N-Canal-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,202€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8635 |
|
|
BSZ150N10LS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
|
Precio unitario: 0,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11364 |
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Complemento N y P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Complemento N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
|
Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 119 |
|
|
BSZ160N10NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, BSZ160N10NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 100 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple, MOSFET, BSZ160N10NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 40 A, 100 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,467€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6590 |
|
|
BSZ165N04NSGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31 A, 40 V, 0.0138 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, BSZ165N04NSGATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 40 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,231€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4083 |
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
|
Precio unitario: 0,629€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9990 |
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -39.6 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -39.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, BSZ180P03NS3EGATMA1, P-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, PG-TDSON.
|
|
Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 289 |
|
|
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, BSZ22DN20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 7 A, 200 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
- |
Precio unitario: 0,425€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
BSZ240N12NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 37 A, 120 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V |
|
Precio unitario: 0,517€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6283 |
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 80 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, BSZ340N08NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 23 A, 80 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,254€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8187 |
|
|
BSZ42DN25NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, BSZ42DN25NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 5 A, 250 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4008 |
|
|
BSZ440N10NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 100 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8.
|
|
Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6099 |
|
|
BSZ520N15NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, BSZ520N15NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 21 A, 150 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,455€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12947 |
|
|
BSZ900N15NS3GATMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 150 V, 0.074 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, BSZ900N15NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 13 A, 150 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS 3 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,383€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22744 |