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Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQ2318AES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 40 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 158383 |
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SQ2319ADS-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.6 A, -40 V, 0.068 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS2440.
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Precio unitario: 0,177€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2325 |
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SQ2348ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7465 |
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SQ2361ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.8 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2361ES-T1_GE3, P-Canal, 2,8 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple.
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Precio unitario: 0,163€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22933 |
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SQ2362ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEQC101 Qualified N-CHANNEL 60-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 39022 |
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SQ2364EES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 60 V, 0.19 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2364EES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2760 |
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SQ2389ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 4.1 A, 40 V, 94 mohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 52475 |
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SQ3419EV-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.9 A, -40 V, 0.048 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQ3419EV-T1_GE3, P-Canal, 7,4 A, 40 V, 6-Pin, TSOP SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,177€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2990 |
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOS2520.
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Precio unitario: 0,229€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13073 |
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SQ3456EV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SQ3460EV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ3987EV-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -3 A, -30 V, 0.085 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2190 |
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SQ4080EY-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 150 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3010 |
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SQ4401EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -17.3 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -17.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQ4401EY-T1-GE3, P-Canal, 17 A, 40 V, 8-Pin, SOIC SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4410EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 169 |