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Mostrando 7927 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQR40N10-25-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,841€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQR50N03-06P-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 84 A, 30 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 84A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,742€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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SQR50N06-07L-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0064 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,789€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 274 |
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SQS401EN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -40 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W.
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Precio unitario: 0,366€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS401EN-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -40 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 0,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3570 |
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SQS407ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.0265 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: STDMOS1357.
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Precio unitario: 0,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS411ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,246€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SQS415ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 0,336€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SQS420EN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.0235 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,209€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 265 |
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SQS460EN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,372€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS460EN-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQS460EN-T1_GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,380€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1830 |
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SQS460ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: STDMOS1296.
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Precio unitario: 0,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1702 |
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SQS481ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.7 A, -150 V, 0.91 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V |
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Precio unitario: 0,221€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8869 |
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SQS482ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,329€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20 |
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SQS944ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 40 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si.
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Precio unitario: 0,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |