1MBI1600U4C-170 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module

Fabricado por: Fuji Electric

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.47V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

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Precio unitario 561,630€
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