1MBi600V-120-50 | Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines
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Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 25 |
| Precio unitario | 124,194€ |
| Entrega | 7 días |