2MBI1200U4G-120 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Fuji Electric
Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.22V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 |
| Precio unitario | 522,830€ |
| Entrega | >30 días |