2MBI150U4A-120-50 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI150U4A-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Fuji Electric
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 10 |
| Precio unitario | 63,457€ |
| Stock (packs) | 37 |
| Entrega | 7 días |