2MBI200U4H-120-50 | Módulo IGBT, 2MBi200U4H-120-50, Serie, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines
1 variante disponible.
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Módulo IGBT, 2MBi200U4H-120-50, Serie, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 10 |
| Precio unitario | 82,337€ |
| Entrega | 7 días |