2MBI300VN-120-50 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.2 kV, 1.595 kW, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.2 kV, 1.595 kW, Module

Fabricado por: Fuji Electric

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
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