2MBI600VE-120-50 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 1.75 V, 4.8 kW, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi600VE-120-50, Serie, 700 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 1.75 V, 4.8 kW, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Fuji Electric
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 700A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 |
| Precio unitario | 194,970€ |
| Entrega | >30 días |