2MBI600VN-120-50 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 750 A, 1.85 V, 3.75 kW, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 750 A, 1.85 V, 3.75 kW, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Fuji Electric
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 750A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 |
| Precio unitario | 233,770€ |
| Entrega | >30 días |