6MBI100U4B-120-50 | Módulo IGBT, 6MBI100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M633, 35-Pines
2 variantes disponibles.
Módulo IGBT, 6MBI100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M633, 35-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 10 |
| Precio unitario | 118,798€ |
| Entrega | 30 días |
Módulo IGBT, 6MBI100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M633, 35-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 10 |
| Precio unitario | 124,080€ |
| Entrega | 7 días |