FGW15N120VD | IGBT, FGW15N120VD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines
2 variantes disponibles.
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 28 A, 1.85 V, 155 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
IGBT, FGW15N120VD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 200 |
| Precio unitario | 4,074€ |
| Entrega | >30 días |
IGBT, FGW15N120VD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 300 |
| Precio unitario | 4,677€ |
| Entrega | 30 días |