FGW30N120HD | Transistor Único IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
2 variantes disponibles.
Transistor Único IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
Fabricado por: Fuji Electric
Corriente de Colector DC: 53A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V Disipación de Potencia Pd: 260W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 250 |
| Precio unitario | 5,849€ |
| Entrega | >30 días |
IGBT, FGW30N120HD, N-Canal, 30 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 60 |
| Precio unitario | 6,809€ |
| Entrega | 7 días |