FGW50N60HD | Transistor Único IGBT, 95 A, 1.5 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

2 variantes disponibles.

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Transistor Único IGBT, 95 A, 1.5 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

Fabricado por: Fuji Electric

Corriente de Colector DC: 95A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 360W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 250
Precio unitario 5,165€
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IGBT, FGW50N60HD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

Fabricado por: Fuji Electric

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 60
Precio unitario 7,227€
Entrega 7 días