FGW75N60HD | IGBT, FGW75N60HD, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
1 variante disponible.
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 100 A, 1.5 V, 500 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
IGBT, FGW75N60HD, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
Fabricado por: Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 60 |
| Precio unitario | 9,331€ |
| Entrega | 25 días |