Mostrando 25274 resultados para Bt.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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779.CBTPB |
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Fabricado por:
Linterna LED LED, Facom 779.CBT Negro, 309 lm, 48 m de alcance |
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Precio unitario: 104,382€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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779.PBTPB |
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Fabricado por:
Linterna LED LED, Facom 779.PBT Negro, 110 lm, 48 m de alcance |
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Precio unitario: 38,092€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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780450660 |
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Precio unitario: 0,105€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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78511-403HLF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,068€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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79425-408HLF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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796136-1 |
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Fabricado por:
Soporte para Batería, PCB, Contacto de Lámina con Resorte, CR2032, PBT Relleno de Fibra de Vidrio
Otros nombres: Portapilas para 1 pila CR2032, montaje PCB, Soporte; Montaje: SMD,horizontal; Tamaño: 2032,BR2032,CR2032.
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Precio unitario: 1,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBP50RA-120-55 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBP50RA-120-55, Trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, P 610, 22-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 123,782€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBP75RA-120-55 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBP75RA-120-55, Trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, P 610, 22-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 160,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBR100U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 138,914€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR100VB-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR100VB-060-50, Puente trifásico, 100 A, 600 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 113,904€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR25UA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR25UA-120-50, Puente trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 57,958€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR25VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR25VA-120-50, Puente trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 49,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 11 días Stock: Sí |
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7MBR35VB-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR35VB-120-50, Puente trifásico, 35 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 79,104€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR50U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR50U2A-060-50, N-Canal, 50 A, 600 V, M711, 24-Pines Trifásico |
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Precio unitario: 35,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBR50UA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR50UA-120-50, Puente trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 91,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |