Mostrando 25274 resultados para Bt.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FGW15N120VD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW15N120VD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 28 A, 1.85 V, 155 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 4,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW25N120VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 48 A, 1.85 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 48A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 260W |
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Precio unitario: 6,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW30N120HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW30N120HD, N-Canal, 30 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 6,809€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW30N60VD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW30N60VD, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 55 A, 1.6 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 6,092€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW35N60HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW35N60HD, N-Canal, 35 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 4,734€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW40N120HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW40N120HD, N-Canal, 40 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple |
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Precio unitario: 8,256€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW40N120VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 63 A, 1.85 V, 340 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 63A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 340W |
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Precio unitario: 7,488€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW50N60HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW50N60HD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 95 A, 1.5 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 7,227€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW50N60VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 85 A, 1.6 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 85A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 360W
Otros nombres: IGBT, FGW50N60VD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines.
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Precio unitario: 6,577€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW75N60HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW75N60HD, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 100 A, 1.5 V, 500 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 9,331€ Unidades/pack: N/D Entrega: 25 días Stock: Sí |
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FGY160T65SPD-F085 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Canal N, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 240A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 882W |
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Precio unitario: 5,888€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 346 |
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FGY60T120SQDN |
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Fabricado por:
IGBT, FGY60T120SQDN, N-Canal, 120 A, 1200 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 120 A, 1.7 V, 517 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 6,703€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGY75N60SMD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V Disipación de Potencia Pd: 750W
Otros nombres: IGBT, FGY75N60SMD, N-Canal, 150 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 2,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2587 |
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FGY75T120SQDN |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 150 A, 1.7 V, 790 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V Disipación de Potencia Pd: 790W
Otros nombres: MOSFET, FGY75T120SQDN, N-Canal-Canal, Reducción, 3-Pin, TO-247 Simple.
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Precio unitario: 4,501€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 390 |
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FGY75T95LQDT |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 7,031€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |