Mostrando 25274 resultados para Bt.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2ED2304S06F |
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Fabricado por:
IC: driver; medio puente IGBT,medio puente MOSFET; EiceDRIVER™
Otros nombres: ICGDRV1242, ICGDRV1243.
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Precio unitario: 0,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2ED300C17-S |
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Fabricado por:
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Otros nombres: ICGDRV1035.
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Precio unitario: 184,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2ED300C17-ST |
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Fabricado por:
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV |
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Precio unitario: 210,490€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2EDL05I06BFXUMA1 |
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Fabricado por:
Controlador IGBT, Medio Puente, 500 mA, 13 V a 17.5 V, DSO-8 Configuración del Controlador: Medio Puente Pico de Corriente de Salida: 500mA Tensión de Alimentación Mín.: 13V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET 2EDL05I06BFXUMA1, 0.36 A DSO 8 pines.
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Precio unitario: 0,420€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2EDL05I06PFXUMA1 |
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Fabricado por:
Controlador IGBT, Medio Puente, 500 mA, 13 V a 17.5 V, DSO-8 Configuración del Controlador: Medio Puente Pico de Corriente de Salida: 500mA Tensión de Alimentación Mín.: 13V |
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Precio unitario: 0,525€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2EDL05I06PJXUMA1 |
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Fabricado por:
Controlador IGBT, Medio Puente, 500 mA, 13 V a 17.5 V, DSO-14 Configuración del Controlador: Medio Puente Pico de Corriente de Salida: 500mA Tensión de Alimentación Mín.: 13V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET 2EDL05I06PJXUMA1, 0.36 A DSO 14 pines.
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Precio unitario: 0,510€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 42 |
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2EDL23I06PJXUMA1 |
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Fabricado por:
Controlador IGBT, Medio Puente, 2.3 A, 13 V a 17.5 V, DSO-14 Configuración del Controlador: Medio Puente Pico de Corriente de Salida: 2.3A Tensión de Alimentación Mín.: 13V |
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Precio unitario: 0,922€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 37231 |
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2MBI100TA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100TA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M232, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 42,816€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 658 |
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2MBI100U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI100U4A-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 54,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI100VA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI100VA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M263, 7-Pines Serie
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module.
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Precio unitario: 32,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi100VA-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines.
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Precio unitario: 40,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59 |
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2MBI1200U4G-120 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.22V |
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Precio unitario: 522,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI150U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.35V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI150U2A-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M232, 7-Pines.
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Precio unitario: 41,759€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI150U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI150U4A-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines.
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Precio unitario: 63,457€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 37 |
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2MBI150U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U4B-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M233, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 74,806€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |