Mostrando 25274 resultados para Bt.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2MBi200VH-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi200VH-120-50, Serie, 240 A, 1.200 V, N-Canal, M276, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 82,266€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4H-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 115,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300U4J-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4J-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M250, 15-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 147,624€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBi300VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300VE-120-50, Serie, 360 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 144,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300VN-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300VN-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M254, 11-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 98,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi400U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi400U4H-120-50, Serie, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 117,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi450VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VE-120-50, Serie, 520 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 217,139€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi450VJ-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VJ-120-50, Serie, 450 A, 1.200 V, N-Canal, M260, 9-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 212,837€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBi450VN-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VN-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M254, 11-Pines Serie |
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Precio unitario: 167,257€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBi600VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi600VE-120-50, Serie, 700 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 223,197€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi75VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi75VA-120-50, Serie, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 61,993€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2N6071BTG-LF |
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Fabricado por:
Triac; 200V; 4A; 3mA; THT; sensitive gate; tubo; TO225AA; Ifsm: 30A |
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Precio unitario: 0,219€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2SA1774EBTLQ |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -50 V, 140 MHz, 150 mW, -150 mA, 120 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Frecuencia de Transición ft: 140MHz |
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Precio unitario: 0,032€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2850 |
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2SAR502EBTL |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -30 V, 150 mW, -0.5 A, 200 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -30V Disipación de Potencia Pd: 150mW |
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Precio unitario: 0,025€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2990 |
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2SAR522EBTL |
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Fabricado por:
Transistor, 2SAR522EBTL, PNP 200 mA -20 V HFE:120 SOT-416FL, 3 pines, 100 MHz, Hay varios productos disponibles en línea desarrollados centrándose en el ahorro de energía y la alta fiabilidad como conceptos principales, que abarcan desde encapsulados ultra compactos hasta encapsulados de potencia para satisfacer las necesidades del mercado. |
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Precio unitario: 0,018€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |