Mostrando 109128 resultados para Ctr.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2EDGVC-5.0-08P14 |
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Fabricado por:
Bloque de bornas desmontable; 5mm; vías: 8; recto; tomacorriente |
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Precio unitario: 0,291€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 4436 |
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2EDGVC-5.0-09P14 |
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Fabricado por:
Bloque de bornas desmontable; 5mm; vías: 9; recto; tomacorriente |
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Precio unitario: 0,398€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1554 |
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2EDGVC-5.0-10P14 |
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Fabricado por:
Bloque de bornas desmontable; 5mm; vías: 10; recto; tomacorriente |
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Precio unitario: 0,446€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1435 |
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2GBJ06 |
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Fabricado por:
Rectificador en puente, 2GBJ06, Monofásico, 2A 600V, 2GBJ, 4 pines |
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Precio unitario: 0,121€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2GBJ10 |
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Fabricado por:
Rectificador en puente, 2GBJ10, Monofásico, 2A 1000V, 2GBJ, 4 pines |
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Precio unitario: 0,121€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2HD-C-120A |
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Fabricado por:
SOLENOID, BOX FRAME, PULL, CONTINUOUS Tensión de la Bobina: 120VAC Resistencia de Bobina: 113ohm Potencia Continua de Bobina: 16.5VA |
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Precio unitario: 41,846€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 109 |
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2MBI100TA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100TA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M232, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 42,816€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 658 |
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2MBI100U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI100U4A-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 57,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI100VA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI100VA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M263, 7-Pines Serie
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module.
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Precio unitario: 32,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi100VA-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines.
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Precio unitario: 40,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59 |
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2MBI1200U4G-120 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.22V |
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Precio unitario: 522,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI150U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U2A-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module.
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Precio unitario: 52,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 25 días Stock: Sí |
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2MBI150U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U4A-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 63,842€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI150U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U4B-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M233, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 74,806€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI150VA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi150VA-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module.
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Precio unitario: 57,188€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |