Mostrando 109128 resultados para Ctr.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2MBi300U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4H-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 115,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300U4J-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4J-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M250, 15-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 147,624€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBi300VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300VE-120-50, Serie, 360 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 144,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300VN-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300VN-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M254, 11-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 98,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi400U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi400U4H-120-50, Serie, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 117,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi450VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VE-120-50, Serie, 520 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 217,139€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi450VJ-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VJ-120-50, Serie, 450 A, 1.200 V, N-Canal, M260, 9-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 212,837€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBi450VN-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VN-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M254, 11-Pines Serie |
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Precio unitario: 167,257€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBi600VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi600VE-120-50, Serie, 700 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 223,197€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi75VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi75VA-120-50, Serie, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 61,993€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2N2222A |
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Fabricado por:
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 300MHz
Otros nombres: 2N2222A, Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0,8A; 500mW; TO18.
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Precio unitario: 0,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1963 |
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2N3019 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Frecuencia de Transición ft: 400MHz |
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 28 |
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2N3019-NTE |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,611€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2N3054-NTE |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 4,724€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2N3055-NTE |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,504€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |