Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB037N06N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 60V 90A 4mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 0,876€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB037N06N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 60 V, 0.003 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB037N06N3GATMA1, N-Canal, 90 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263).
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Precio unitario: 0,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB038N12N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 120V 120A 4mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 3,482€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB038N12N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 120 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V
Otros nombres: MOSFET, IPB038N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 120 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 2,396€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB039N10N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 100V 160A 4mOhm TO263-7 |
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Precio unitario: 1,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB039N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 160 A, 100 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 160A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB039N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 160 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB040N08NF2S |
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Fabricado por:
N-CH 80V 107A 4,0mOhm TO-263 |
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Precio unitario: 1,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB042N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPB042N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 70 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 70 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 1,042€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB042N10N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 100V 100A 4mOhm TO263-3
Otros nombres: TMOS2121.
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Precio unitario: 1,455€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB042N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 100 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB042N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 865 |
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IPB043N10NF2S |
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Fabricado por:
N-CH 100V 135A 4,4mOhm TO-263 |
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Precio unitario: 0,927€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB044N15N5 |
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Fabricado por:
N-CH 150V 174A 4,4mOhm TO263-7 |
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Precio unitario: 4,093€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB044N15N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 174 A, 150 V, 0.0034 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 174A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 3,094€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 773 |
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IPB048N15N5 |
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Fabricado por:
N-CH 150V 120A 3,7mOhm D2PAK |
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Precio unitario: 3,725€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB048N15N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 150 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 4,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |