Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB048N15N5LF |
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Fabricado por:
N-CH 150V 120A 3,9mOhm D2PAK
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 4,608€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB048N15N5LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 150 V, 0.0039 ohm, 10 V, 4.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 3,647€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB049N08N5 |
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Fabricado por:
N-CH 80V 80A 4,9mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 1,028€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB049N08N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0043 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,889€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 476 |
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IPB049NE7N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 75V 80A 4,9mOhm TO263 |
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Precio unitario: 1,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB049NE7N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V
Otros nombres: MOSFET, IPB049NE7N3GATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,749€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 872 |
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IPB050N10NF2S |
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Fabricado por:
N-CH 100V 103A 5,1mOhm TO-263 |
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB054N06N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 60V 80A 5mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 0,860€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB054N06N3GATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPB054N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si |
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Precio unitario: 0,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB054N08N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 80V 80A 5mOhm TO263 |
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB054N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPB054N08N3GATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 80 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,592€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB055N03L G |
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Fabricado por:
N-CH 30V 50A 6mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 0,667€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB055N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Otros nombres: MOSFET, IPB055N03LGATMA1, N-Canal, 50 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263).
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Precio unitario: 0,467€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 888 |
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IPB055N08NF2S |
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Fabricado por:
N-CH 80V 98A 5,5mOhm TO-263 |
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Precio unitario: 0,841€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB057N06NATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPB057N06NATMA1, N-Canal-Canal, 45 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 5 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 45 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 2.8 V.
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Precio unitario: 0,936€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |