Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB065N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,363€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 533 |
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IPB065N15N3 G |
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Fabricado por:
MOSFET 150V 7mOhm 130A TO263 |
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Precio unitario: 4,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB065N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPB065N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 130 A, 150 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 150 V, 0.0052 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 2,799€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB067N08N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 80V 80A 7mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 1,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB067N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPB067N08N3GATMA1, N-Canal, 80 A, 80 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263).
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Precio unitario: 0,715€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB072N15N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 150V 100A 7mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 3,405€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB072N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, IPB072N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3
Otros nombres: MOSFET, IPB072N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 150 V, 0.0058 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 2,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB073N15N5 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Otros nombres: TMOS2122, TMOS3278.
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Precio unitario: 2,134€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 67 |
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IPB073N15N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 114 A, 150 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 114A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 3,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 679 |
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IPB080N03L G |
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Fabricado por:
N-CH 30V 50A 8mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 0,542€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPB080N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,228€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 813 |
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IPB081N06L3 G |
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Fabricado por:
N-CH 60V 50A 8,1mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 0,670€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB081N06L3G |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,543€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 717 |
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IPB081N06L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB081N06L3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,511€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 791 |
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IPB083N10N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 100V 80A 8mOhm TO263-3 |
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Precio unitario: 0,887€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |