Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF7331PBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7331TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,263€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8013 |
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IRF7341GTRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 1,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2771 |
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IRF7341PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7341PBF Dual, N-Canal, 4,7 A, 55 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 0,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF7341TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7341TRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 4,7 A, 55 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 0,628€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7342D2PBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -3.4 A, -55 V, 0.105 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -55V |
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Precio unitario: 0,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7342PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7342PBF Dual, P-Canal, 3,4 A, 55 V, 8-Pin, SOIC Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal P doble.
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, 3.4 A, -55 V, 0.105 ohm, -10 V, -1 V.
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Precio unitario: 0,711€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7342TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -3.4 A, -55 V, 0.095 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -55V
Otros nombres: MOSFET, IRF7342TRPBF, Dual, P-Canal, 3,4 A, 55 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,394€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7634 |
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IRF7343PBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, IRF7343PBF Dual N/P-Canal, 3,4 A, 4,7 A, 55 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,327€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1183 |
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IRF7351PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7351PBF, Dual, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,141€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7351TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IRF7351TRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,520€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4057 |
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IRF7353D1PBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7353D2PBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,480€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7379TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 5.8 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1900 |
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IRF7380PBF |
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Fabricado por:
N-CH 80V 3,6A 73mOhm SO-8 |
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |