Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF7380TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.6 A, 80 V, 0.061 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IRF7380TRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 3,6 A, 80 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,379€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1465 |
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IRF7389PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7389PBF, Dual, N/P-Canal, 5,3 A, 7,3 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 1,117€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7389TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7389TRPBF, Dual, N/P-Canal, 5,3 A, 7,3 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 0,591€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7401PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7401PBF, N-Canal-Canal, 8,7 A, 20 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 0,747€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7401TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8.7 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSP11908.
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Precio unitario: 0,280€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2001 |
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IRF7402TRPBF |
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Fabricado por:
N-CH 20V 6,8A 35mOhm SO8
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 6.8 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 700 mV.
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Precio unitario: 0,346€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7403TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7403TRPBF, N-Canal, 8,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 8.5 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 V.
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Precio unitario: 0,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF7404TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.7 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -700 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, IRF7404TRPBF, P-Canal, 6,7 A, 20 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,295€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 416 |
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IRF7406PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 5.2 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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IRF7406TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.8 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, IRF7406TRPBF, P-Canal, 5,8 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1210 |
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IRF7410GTRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -12 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: TMOS2845.
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Precio unitario: 0,294€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20040 |
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IRF7410PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7410PBF, P-Canal, 16 A, 20 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, 16 A, -12 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -900 mV.
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Precio unitario: 0,350€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF7410TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7410TRPBF, P-Canal, 16 A, 12 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, 16 A, -12 V, 0.007 ohm, 4.5 V, 900 mV.
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Precio unitario: 0,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7413PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7413PBF, N-Canal, 13 A, 30 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,330€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF7413TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IRF7413TRPBF, N-Canal, 13 A, 30 V, 8-Pin, SOIC, MOSFET, IRF7413TRPBF, N-Canal-Canal, 13 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2091 |