Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRLR2908TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IRLR2908TRPBF, N-Canal-Canal, 39 A, 80 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,422€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1779 |
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IRLR3103TRLPBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,473€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3103TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IRLR3103TRPBF, N-Canal-Canal, 55 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,423€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2009 |
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IRLR3105PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3105PBF, N-Canal, 25 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 55 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,306€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRLR3105TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3105TRPBF, N-Canal-Canal, 25 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 55 V, 0.03 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,620€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3110ZPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRLR3110ZPBF, N-Canal, 63 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252).
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Precio unitario: 0,636€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3110ZTRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3110ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 63 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET
Otros nombres: MOSFET, IRLR3110ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 63 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET.
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Precio unitario: 1,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3110ZTRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRLR3110ZTRPBF, N-Canal-Canal, 63 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,686€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5054 |
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IRLR3114ZPBF |
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Fabricado por:
N-CH 40V 130A 4,5mOhm TO252
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 40 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,706€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRLR3114ZTRPBF |
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Fabricado por:
N-CH 40V 42A 4,9mOhm DPAK
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 40 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,660€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3410PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3410PBF, N-Canal, 17 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 0,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRLR3410TRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRLR3410TRLPBF, N-Canal-Canal, 17 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET.
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2954 |
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IRLR3410TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRLR3410TRPBF, N-Canal-Canal, 17 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2614 |
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IRLR3410TRRPBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,231€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3636PBF |
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Fabricado por:
N-CH 60V 99A 6,8mOhm TO252
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0068 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,674€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |