Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRLR3636TRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3636TRLPBF, N-Canal-Canal, 99 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET |
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Precio unitario: 1,238€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3636TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3636TRPBF, N-Canal-Canal, 99 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3705ZPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3705ZPBF, N-Canal-Canal, 89 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si
Otros nombres: N CHANNEL MOSFET, 55V, 89A, D-PAK.
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Precio unitario: 1,486€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3705ZTRPBF |
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Fabricado por:
N-CH 55V 42A 8mOhm TO252
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 55 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,822€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3715ZPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 49 A, 20 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 49A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,307€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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IRLR3717PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR3717PBF, N-Canal, 120 A, 20 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. |
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Precio unitario: 0,899€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRLR3717TRPBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3802PBF |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 84A; 88W; DPAK
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 84 A, 12 V, 0.0085 ohm, 4.5 V, 1.9 V.
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Precio unitario: 0,536€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 184 |
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IRLR3915PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 61 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 61A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 0,463€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR3915TRPBF |
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Fabricado por:
N-CH 55V 30A 14mOhm TO252
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR4132TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 78 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.35 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 78A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1711 |
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IRLR6225PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR6225PBF, N-Canal, 100 A, 20 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. |
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Precio unitario: 1,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRLR6225TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR6225TRPBF, N-Canal-Canal, 100 A, 20 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 20 V, 0.0032 ohm, 4.5 V, 800 mV.
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Precio unitario: 0,587€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRLR7807ZPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0138 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IRLR7807ZPBF, N-Canal-Canal, 43 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,334€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2514 |
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IRLR7807ZTRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRLR7807ZTRPBF, N-Canal, 43 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 43 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.8 V.
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Precio unitario: 0,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |