Mostrando 587 resultados para Fuji.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2903502 |
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Fabricado por:
Cable Phoenix Contact, 4 x IDC, 14 contactos - Conector Fujitsu, 40 contactos, 0.5m, Hembra - hembra
Otros nombres: CABLE, CABLE-FCN40/4X14/ 0,5M/IM/MEL.
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Precio unitario: 73,516€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2903508 |
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Fabricado por:
Cable Phoenix Contact, 4 x IDC, 14 contactos - Conector Fujitsu, 40 contactos, 8m, Hembra - hembra
Otros nombres: CABLE, CABLE-FCN40/4X14/ 8,0M/IM/MEL.
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Precio unitario: 140,029€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2903509 |
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Fabricado por:
Cable Phoenix Contact, 4 x IDC, 14 contactos - Conector Fujitsu, 40 contactos, 10m, Hembra - hembra |
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Precio unitario: 154,508€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2903748 |
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Fabricado por:
Conector Phoenix Contact, IDC, 50 contactos - Conector Fujitsu, 40 contactos, 15m, Hembra - hembra |
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Precio unitario: 128,890€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2903749 |
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Fabricado por:
Latiguillo Phoenix Contact 2903749, Conector A 4 x IDC 14-Pin - Fujitsu Connector 40-Pin |
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Precio unitario: 269,679€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2904349 |
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Fabricado por:
Cable Phoenix Contact, IDC, 50 contactos - Conector Fujitsu, 40 contactos, 12m, Hembra - hembra |
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Precio unitario: 125,576€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2904350 |
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Fabricado por:
Cable Phoenix Contact, 4 x IDC, 14 contactos - Conector Fujitsu, 40 contactos, 12m, Hembra - hembra |
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Precio unitario: 175,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI100TA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100TA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M232, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 42,816€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 658 |
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2MBI100U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI100U4A-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 54,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI100VA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100VA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M263, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 48,878€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34 |
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2MBI100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi100VA-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 43,092€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI1200U4G-120 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.22V |
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Precio unitario: 522,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI150U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U2A-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module.
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Precio unitario: 52,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 25 días Stock: Sí |
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2MBI150U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U4A-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 65,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI150U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U4B-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M233, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 72,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |