Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4497DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 BWL 30V 3.3mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,938€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4501ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,725€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4501BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI4501BDY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 6,4 A, 12 A, 8 V, 30 V, 8-Pin, SOIC Drenaje común Si |
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Precio unitario: 0,410€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4511DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 7.2 A, 20 V, 0.0115 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,564€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4532CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4532CDY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8161 |
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SI4554DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI4554DY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 8 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si |
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Precio unitario: 0,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4559ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI4559ADY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 3,9 A, 5,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si |
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Precio unitario: 1,034€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4564DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI4564DY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 7,2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV.
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Precio unitario: 0,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4590DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4,5/-2,7A; 2,3/2,7W |
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4599DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6.8 A, 40 V, 0.0295 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4599DY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 4,7 A, 6,8 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18100 |
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SI4666DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SI4712DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,295€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SI4804CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,264€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5682 |
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SI4812BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,380€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 848 |
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SI4816BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2260 |