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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

P-Ch MOSFET SO-8 30V 13mohm @ 10V- Lead(

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V.

- Precio unitario: 0,277€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4830CDY-T1-GE3
SI4830CDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 7.1 A, 30 V, 0.156 ohm, 10 V, 1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,542€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI4835DDY-T1-GE3, P-Canal, 10,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -8.7 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -3 V.

- Precio unitario: 0,845€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4838BDY-T1-GE3
SI4838BDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 34 A, 12 V, 0.0021 ohm, 4.5 V, 400 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 34A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V

Precio unitario: 1,116€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4491
SI4840BDY-T1-GE3
SI4840BDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI4840BDY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Simple Si

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1 V.

- Precio unitario: 1,286€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4848ADY-T1-GE3
SI4848ADY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 5.5 A, 150 V, 0.070 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V

Precio unitario: 0,210€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 289
SI4848DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI4848DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 150 V, 8-Pin, SOIC Simple

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V.

- Precio unitario: 1,140€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4850BDY-T1-GE3
SI4850BDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.8 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,312€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4990
SI4850EY-T1-GE3
SI4850EY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI4850EY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 8,5 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Simple Si

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V.

- Precio unitario: 1,292€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4896DY-T1-GE3
SI4896DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 6.7 A, 80 V, 0.0135 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Precio unitario: 0,928€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7553
SI4900DY-T1-GE3
SI4900DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si

Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.3 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V, MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.

- Precio unitario: 0,829€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4908DY-T1-GE3
SI4908DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 5 A, 40 V, 0.048 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Precio unitario: 0,324€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4909DY-T1-GE3
SI4909DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V

Otros nombres: MOSFET, SI4909DY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 6,5 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.

Precio unitario: 0,357€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4925DDY-T1-GE3
SI4925DDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -3 V

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Otros nombres: MOSFET, SI4925DDY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 8 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.

Precio unitario: 0,443€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 11425
SI4931DY-T1-GE3
SI4931DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSP9529

DUAL P-CH 12V 8,9A at 4,5V...

Precio unitario: 1,116€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí