Mostrando 3926 resultados para IXYS.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXFN170N10 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 170 A, 100 V, 0.01 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 170A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 24,919€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1924 |
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IXFN170N25X3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 250V; 146A; SOT227B; Ugs: ±30V; 390W
Otros nombres: POWMOD1070.
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Precio unitario: 17,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 23 |
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IXFN170N30P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 300V; 138A; SOT227B; Ugs: ±30V; 890W |
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Precio unitario: 22,656€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 23 |
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IXFN170N65X2 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN170N65X2, N-Canal-Canal, 170 A, 650 V, 4-Pin, SOT227 HiperFET Simple |
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Precio unitario: 27,682€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN180N10 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, HiPerFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 16,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 68 |
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IXFN180N15P |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN180N15P, N-Canal-Canal, 150 A, 150 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V.
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Precio unitario: 15,002€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN180N20 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 200 V, 0.01 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 28,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN180N25T |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 250V; 168A; SOT227B; Ugs: ±30V; 900W |
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Precio unitario: 10,864€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 85 |
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IXFN200N07 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, HiPerFET, Canal N, 200 A, 70 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 70V |
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Precio unitario: 16,005€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 28 |
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IXFN200N10P |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN200N10P, N-Canal-Canal, 200 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227B Polar HiPerFET
Otros nombres: Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V.
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Precio unitario: 17,033€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN20N120P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 20A; SOT227B; Ugs: ±40V; 595W |
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Precio unitario: 22,698€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 27 |
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IXFN210N20P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 200V; 188A; SOT227B; Ugs: ±30V
Otros nombres: TMOS6613.
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Precio unitario: 22,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 6 |
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IXFN210N30P3 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN210N30P3, N-Canal-Canal, 192 A, 300 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar3 Simple Si |
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Precio unitario: 27,868€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN210N30X3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 300V; 210A; SOT227B; Ugs: ±20V; 695W |
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Precio unitario: 20,758€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 9 |
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IXFN220N20X3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 200V; 160A; SOT227B; Ugs: ±30V; 390W |
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Precio unitario: 15,264€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |