Mostrando 3926 resultados para IXYS.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXFN230N10 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 230 A, 100 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 230A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS6896.
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Precio unitario: 26,736€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 214 |
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IXFN230N20T |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 200V; 220A; SOT227B; Ugs: ±30V
Otros nombres: TMOS3550.
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Precio unitario: 19,303€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN240N15T2 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 150V; 240A; SOT227B; Ugs: ±30V; 830W |
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Precio unitario: 19,691€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN240N25X3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 250V; 240A; SOT227B; Ugs: ±30V; 695W
Otros nombres: POWMOD1069.
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Precio unitario: 22,601€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 59 |
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IXFN24N100 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN24N100, N-Canal-Canal, 24 A, 1.000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si
Otros nombres: MOSFET, IXFN24N100, N-Canal-Canal, 24 A, 1000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V.
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Precio unitario: 25,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN26N100P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1kV; 23A; SOT227B; Ugs: ±40V; 595W |
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Precio unitario: 29,100€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN26N120P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 23A; SOT227B; Ugs: ±40V; 695W |
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Precio unitario: 29,682€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN27N80Q |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 27 A, 800 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 19,972€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN300N10P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 100V; 295A; SOT227B; Ugs: ±30V |
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Precio unitario: 22,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN300N20X3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 200V; 300A; SOT227B; Ugs: ±30V; 695W |
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Precio unitario: 21,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 21 |
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IXFN30N120P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 30A; SOT227B; Ugs: ±40V; 890W |
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Precio unitario: 33,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 6 |
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IXFN320N17T2 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 170V; 260A; SOT227B; Ugs: ±30V
Otros nombres: TMOS6606.
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Precio unitario: 24,347€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN32N100P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1kV; 27A; SOT227B; Ugs: ±40V; 690W |
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Precio unitario: 17,934€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN32N100Q3 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN32N100Q3, N-Canal-Canal, 28 A, 1.000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Q3-Class Simple Si |
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Precio unitario: 36,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN32N120 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV |
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Precio unitario: 40,827€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 143 |