Mostrando 3926 resultados para IXYS.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXFN32N120P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 32A; SOT227B; Ugs: ±40V
Otros nombres: TMOS6930.
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Precio unitario: 39,285€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 20 |
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IXFN32N80P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 800V; 29A; SOT227B; Ugs: ±40V; 625W |
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Precio unitario: 14,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 13 |
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IXFN340N07 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 70V; 340A; SOT227B; Ugs: ±30V; 700W
Otros nombres: TMOS6449.
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Precio unitario: 26,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN360N10T |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN360N10T, N-Canal-Canal, 360 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227 GigaMOS Trench HiperFET |
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Precio unitario: 13,783€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN360N15T2 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN360N15T2, N-Canal-Canal, 310 A, 150 V, 4-Pin, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET |
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Precio unitario: 27,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN36N100 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN36N100, N-Canal-Canal, 36 A, 1000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si
Otros nombres: MOSFET, IXFN36N100, N-Canal-Canal, 36 A, 1.000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 1 kV, 0.24 ohm, 10 V, 5 V.
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Precio unitario: 43,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN38N100P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1kV; 38A; SOT227B; Ugs: ±40V; 1000W |
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Precio unitario: 26,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 17 |
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IXFN400N15X3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 150V; 400A; SOT227B; Ugs: ±30V; 695W |
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Precio unitario: 22,601€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 11 |
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IXFN40N110P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,1kV; 34A; SOT227B; Ugs: ±40V; 890W |
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Precio unitario: 32,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN40N110Q3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,1kV; 35A; SOT227B; Ugs: ±40V; 960W |
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Precio unitario: 29,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN40N90P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 900V; 33A; SOT227B; Ugs: ±40V; 695W |
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Precio unitario: 19,885€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 31 |
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IXFN420N10T |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN420N10T, N-Canal-Canal, 420 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227 GigaMOS Trench HiperFET |
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Precio unitario: 15,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN44N100P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1kV; 37A; SOT227B; Ugs: ±40V; 890W |
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Precio unitario: 20,855€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 14 |
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IXFN44N100Q3 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN44N100Q3, N-Canal-Canal, 38 A, 1.000 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Q3-Class Simple Si |
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Precio unitario: 34,959€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN44N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 17,353€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |