Mostrando 3926 resultados para IXYS.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXFN44N80P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 800V; 39A; SOT227B; Ugs: ±30V; 694W
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 800 V, 0.19 ohm, 10 V, 5 V.
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Precio unitario: 14,915€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 19 |
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IXFN44N80Q3 |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN44N80Q3, N-Canal-Canal, 37 A, 800 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Q3-Class Simple Si |
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Precio unitario: 33,698€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN48N50 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 48 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 48A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 15,656€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN48N60P |
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Fabricado por:
MOSFET, IXFN48N60P, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si |
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Precio unitario: 16,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN50N120SIC |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 30A; SOT227B; atornillado |
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Precio unitario: 42,195€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN50N120SK |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 48A; SOT227B; atornillado |
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Precio unitario: 42,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 16 |
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IXFN520N075T2 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 75V; 480A; SOT227B; Ugs: ±30V; 940W
Otros nombres: POWMOD1157.
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Precio unitario: 17,945€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 16 |
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IXFN52N100X |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 1kV; 44A; SOT227B; Ugs: ±40V; 830W |
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Precio unitario: 25,996€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 20 |
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IXFN52N90P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 900V; 43A; SOT227B; Ugs: ±40V; 890W |
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Precio unitario: 23,616€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 10 |
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IXFN55N50F |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 500 V, 55 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Disipación de Potencia Pd: 600W |
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Precio unitario: 29,216€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN56N90P |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 900V; 56A; SOT227B; Ugs: ±40V; 1000W
Otros nombres: TMOS3519.
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Precio unitario: 34,144€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN60N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Módulo; transistor individual; 600V; 60A; SOT227B; Ugs: ±40V; 694W.
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Precio unitario: 30,635€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFN60N80P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 800 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, IXFN60N80P, N-Canal-Canal, 53 A, 800 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si.
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Precio unitario: 18,304€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 171 |
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IXFN62N80Q3 |
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Fabricado por:
Módulo; transistor individual; 800V; 49A; SOT227B; Ugs: ±40V; 960W |
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Precio unitario: 30,652€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 66 |
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IXFN64N50P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 64 A, 500 V, 0.085 ohm, 10 V, 5.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 64A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, IXFN64N50P, N-Canal-Canal, 61 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B HiperFET, Polar Simple Si.
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Precio unitario: 11,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |