Mostrando 342 resultados para Ixys Semiconductor.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FUO50-16N
FUO50-16N

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Diodos de Puente Rectificador

Diodo Rectificador de Puente, Tres Fases, 1.6 kV, 50 A, i4-PAC, 1.15 V, 5 Pines

Núm. de Fases: Tres Fases Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.6kV Corriente Directa If(AV): 50A

Otros nombres: Puente rectificador trifásico; Urmax: 1,6kV; If: 50A; Ifsm: 270A, Rectificador en puente, FUO50-16N, Trifásico, 50A 1600V, Conexión de silicio ISOPLUS-I4-PAC, 5 pines, Rectificador en puente, FUO50-16N, Trifásico, 50A 1600V, ISOPLUS-I4-PAC, 5 pines.

Precio unitario: 5,034€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
GUO40-16NO1
GUO40-16NO1

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Diodos de Puente Rectificador

Diodo Rectificador de Puente, Tres Fases, 1.6 kV, Agujero Pasante, 1.28 V, 5 Pines

Núm. de Fases: Tres Fases Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.6kV Encapsulado del Puente Rectificador: Agujero Pasante

Otros nombres: Puente rectificador trifásico; Urmax: 1,6kV; If: 40A; Ifsm: 370A, Rectificador en puente, GUO40-16NO1, Trifásico, 40A 1700V, GUFP, 5 pines, Rectificador en puente, GUO40-16NO1, Trifásico, 70A 1700V, Conexión de silicio GUFP, 5 pines.

Precio unitario: 4,762€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3
IXA12IF1200HB
IXA12IF1200HB

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 20A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 85W

Otros nombres: IGBT, IXA12IF1200HB, N-Canal, 20 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 2,280€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
IXA12IF1200PB
IXA12IF1200PB

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 20A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 85W

Otros nombres: IGBT, IXA12IF1200PB, N-Canal, 20 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 2,056€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 38
IXA20I1200PB
IXA20I1200PB

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 33A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 130W

Otros nombres: IGBT, IXA20I1200PB, N-Canal, 38 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 2,221€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 13
IXA27IF1200HJ
IXA27IF1200HJ

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 43 A, 2.1 V, 150 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 43A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 150W

Otros nombres: IGBT, IXA27IF1200HJ, N-Canal, 43 A, 1.200 V, ISOPLUS247, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 4,488€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 30
IXA33IF1200HB
IXA33IF1200HB

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 58A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 250W

Otros nombres: IGBT, IXA33IF1200HB, N-Canal, 58 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines.

Precio unitario: 4,481€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 32
IXA37IF1200HJ
IXA37IF1200HJ

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 58 A, 2.1 V, 195 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 58A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 195W

Otros nombres: IGBT, IXA37IF1200HJ, N-Canal, 58 A, 1.200 V, ISOPLUS247, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 5,704€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 450
IXA45IF1200HB
IXA45IF1200HB

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 78 A, 2.1 V, 325 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 78A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 325W

Otros nombres: IGBT, IXA45IF1200HB, N-Canal, 78 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 5,159€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
IXA4IF1200TC
IXA4IF1200TC

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 9 A, 1.8 V, 45 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 9A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V Disipación de Potencia Pd: 45W

Otros nombres: Transistor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268.

Precio unitario: 2,231€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
IXA55I1200HJ
IXA55I1200HJ

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 84A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 290W

Otros nombres: IGBT, IXA55I1200HJ, N-Canal, 84 A, 1.200 V, ISOPLUS247, 3-Pines Simple.

Precio unitario: 7,909€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2
IXA60IF1200NA
IXA60IF1200NA

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 88 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, SOT-227B, 4 Pines

Corriente de Colector DC: 88A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V Disipación de Potencia Pd: 290W

Otros nombres: IGBT, IXA60IF1200NA, N-Canal, 88 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines Simple.

Precio unitario: 16,539€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
IXA70I1200NA
IXA70I1200NA

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.8 V, 350 W, 1.2 kV, SOT-227B

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V

Otros nombres: IGBT, IXA70I1200NA, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines Simple.

Precio unitario: 13,396€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
IXDN55N120D1
IXDN55N120D1

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.3 V, 450 W, 1.2 kV, SOT-227B

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V

Otros nombres: IGBT, IXDN55N120D1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 1MHZ Simple.

Precio unitario: 19,613€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 25
IXDR30N120
IXDR30N120

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, Aislado, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V Disipación de Potencia Pd: 200W

Precio unitario: 5,616€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí