Mostrando 342 resultados para Ixys Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IXDR30N120D1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Aislado, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pines Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V Disipación de Potencia Pd: 200W
Otros nombres: Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 200W; ISOPLUS247™.
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Precio unitario: 6,392€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 24 |
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IXFA16N50P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263.
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Precio unitario: 1,523€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFA22N65X2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase X2, Canal N, 22 A, 650 V, 0.145 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IXFA22N65X2, N-Canal-Canal, 22 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HiperFET, X2-Class Simple Si.
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Precio unitario: 1,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFB100N50Q3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Clase Q3, Canal N, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 6.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, IXFB100N50Q3, N-Canal-Canal, 100 A, 500 V, 3-Pin, PLUS264 HiperFET, Q3-Class Simple Si.
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Precio unitario: 16,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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IXFB110N60P3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 110 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 110A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IXFB110N60P3, N-Canal-Canal, 110 A, 600 V, 3-Pin, PLUS264 HiperFET, Polar3 Simple Si.
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Precio unitario: 10,272€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFB132N50P3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 132 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 132A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, IXFB132N50P3, N-Canal-Canal, 132 A, 500 V, 3-Pin, PLUS264 HiperFET, Polar3 Simple Si.
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Precio unitario: 10,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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IXFB210N30P3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 210 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 210A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 300V
Otros nombres: MOSFET, IXFB210N30P3, N-Canal-Canal, 210 A, 300 V, 3-Pin, PLUS264 HiperFET, Polar3 Simple Si.
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Precio unitario: 12,804€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 72 |
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IXFB52N90P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 52 A, 900 V, 0.16 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 52A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™.
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Precio unitario: 13,221€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFH110N10P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 110 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 110A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IXFH110N10P, N-Canal-Canal, 110 A, 100 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si.
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Precio unitario: 2,551€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |
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IXFH120N15P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 120 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, IXFH120N15P, N-Canal-Canal, 120 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AD HiperFET, Polar Simple Si.
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Precio unitario: 3,851€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 33 |
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IXFH120N20P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 200 V, 0.022 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IXFH120N20P, N-Canal-Canal, 120 A, 200 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si.
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Precio unitario: 5,277€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 31 |
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IXFH12N100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV |
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Precio unitario: 8,749€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 194 |
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IXFH12N100F |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV |
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Precio unitario: 8,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 567 |
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IXFH12N120P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 1.2 kV, 1.35 ohm, 10 V, 6.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 12A; 543W; TO247-3.
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Precio unitario: 6,470€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXFH12N90P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 900 V, 0.9 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3.
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Precio unitario: 3,870€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 37 |