Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FDFMA3N109 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.9 A, 30 V, 0.075 ohm, 1 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,205€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDFS2P106A |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,480€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDFS2P753Z |
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Fabricado por:
MOSFET, FDFS2P753Z, P-Canal, 3 A, 30 V, 8-Pin, SOIC On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la … |
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Precio unitario: 0,360€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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FDFS6N548 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDFS6N548, N-Canal-Canal, 7 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si |
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Precio unitario: 0,440€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG1024NZ |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG1024NZ, Dual, N-Canal-Canal, 1,2 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) PowerTrench Aislado Si |
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG311N |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG311N, N-Canal, 1,9 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 1.9 A, 20 V, 0.082 ohm, 4.5 V, 900 mV.
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Precio unitario: 0,208€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDG312P |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG312P, P-Canal, 1,2 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, 1.2 A, -20 V, 0.135 ohm, -4.5 V, 900 mV.
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Precio unitario: 0,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDG313N |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 950 mA, 25 V, 0.45 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 950mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: MOSFET, FDG313N, N-Canal, 950 mA, 25 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70), MOSFET, FDG313N, N-Canal-Canal, 950 mA, 25 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDG315N |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG315N, N-Canal, 2 A, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la … |
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Precio unitario: 0,157€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDG316P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 1.6 A, -30 V, 0.19 ohm, -10 V, -1.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, FDG316P, P-Canal, 1,6 A, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70).
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Precio unitario: 0,112€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9118 |
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FDG327N |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG327N, N-Canal, 1,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 20 V, 0.057 ohm, 4.5 V, 700 mV.
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Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDG327NZ |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDG327NZ, N-Canal, 1,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70).
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Precio unitario: 0,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2835 |
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FDG328P |
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Fabricado por:
Transistor digital, FDG328P, SC-70, 6 pines
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -1.5 A, -20 V, 0.12 ohm, -4.5 V, -1.5 mV.
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Precio unitario: 0,435€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG330P |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG332PZ |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG332PZ, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -2.6 A, -20 V, 0.073 ohm, -4.5 V, -700 mV.
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |