Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FDG410NZ |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,105€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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FDG6301N |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 220mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: MOSFET, FDG6301N Dual, N-Canal, 220 mA, 25 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70).
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Precio unitario: 0,107€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6301N-F085 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 220mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: Transistor digital, FDG6301N-F085, Dual SC-70, 6 pines.
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Precio unitario: 0,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6303N |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 500 mA, 25 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 500mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 500 mA, 25 V, 0.45 ohm, 4.5 V, 800 mV, MOSFET, FDG6303N, Dual, N-Canal-Canal, 500 mA, 25 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,083€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21540 |
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FDG6304P |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -410 mA, -25 V, 0.85 ohm, -4.5 V, -820 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -410mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -25V
Otros nombres: Transistor digital, FDG6304P, Dual SC-70, 6 pines.
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Precio unitario: 0,129€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6306P |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -600 mA, -20 V, 0.3 ohm, -4.5 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, FDG6306P, Dual, P-Canal, 600 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) PowerTrench Aislado Si.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6308P |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -600 mA, -20 V, 0.27 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,152€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6316P |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG6316P, Dual, P-Canal, 700 mA, 12 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) PowerTrench Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mV, MOSFET, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,088€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6317NZ |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDG6317NZ, Dual, N-Canal-Canal, 700 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) PowerTrench Aislado Si.
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Precio unitario: 0,089€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6318P |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG6318P Dual, P-Canal, 500 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: MOSFET, FDG6318P, Dual, P-Canal, 500 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) PowerTrench Aislado Si.
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Precio unitario: 0,204€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDG6318PZ |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG6318PZ Dual, P-Canal, 500 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -500 mA, -20 V, 0.58 ohm, -4.5 V, -900 mV.
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Precio unitario: 0,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDG6320C |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 220mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: MOSFET, FDG6320C, Dual, N/P-Canal, 140 mA, 220 mA, 25 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6321C |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 500 mA, 25 V, 0.45 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 500mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: Transistor digital, FDG6321C, Dual SC-70, 6 pines.
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6322C |
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Fabricado por:
MOSFET, FDG6322C, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 410 mA, 25 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70) Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV.
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Precio unitario: 0,336€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDG6323L |
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Fabricado por:
Interruptor de Carga de Potencia, MOSFET de Potencia de Canal N, 2.5V-8V, Salida 0.6A/0.41R, SC70-6 Tensión de Entrada: 8V Límite de Corriente: 600mA Resistencia en Estado Conductor: 0.75ohm |
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |