Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FDS5680 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FDS5680, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,601€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3098 |
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FDS5690 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 60 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,351€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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FDS6294 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 27 |
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FDS6298 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 30 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1233 |
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FDS6375 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDS6375, P-Canal, 8 A, 20 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -20 V, 0.014 ohm, -4.5 V, -700 mV, Transistor MOSFET, Canal P, 8 A, -20 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -700 mV.
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Precio unitario: 0,266€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDS6570A |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 20 V, 0.0075 ohm, 4.5 V, 900 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,686€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2445 |
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FDS6574A |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 20 V, 0.004 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDS6574A, N-Canal, 16 A, 20 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,577€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 128 |
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FDS6575 |
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Fabricado por:
MOSFET, FDS6575, P-Canal, 10 A, 20 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -10 A, -20 V, 0.0085 ohm, -4.5 V, -600 mV.
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Precio unitario: 0,448€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDS6576. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -11 A, -20 V, 0.014 ohm, -4.5 V, -830 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2912 |
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FDS6612A |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,254€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1844 |
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FDS6630A |
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Fabricado por:
MOSFET, FDS6630A, N-Canal, 6,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 6.5 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1.7 V.
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Precio unitario: 0,239€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDS6670A |
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Fabricado por:
MOSFET, FDS6670A, N-Canal-Canal, 13 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.8 V.
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Precio unitario: 0,631€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FDS6670AS |
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Fabricado por:
MOSFET, FDS6670AS, N-Canal, 13,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 13.5 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.7 V.
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Precio unitario: 0,386€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FDS6673BZ |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14,5A; 2,5W; SO8.
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Precio unitario: 0,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 73 |
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FDS6675 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.7 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, FDS6675, P-Canal, 11 A, 30 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,617€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1055 |