Mostrando 15012 resultados para On Semiconductor.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6675BZ |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6675BZ, P-Canal, 11 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V, Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V.
|
- |
Precio unitario: 0,504€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6676AS |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6679 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -13 A, -30 V, 0.0073 ohm, -10 V, -1.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
|
Precio unitario: 0,629€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2596 |
|
|
FDS6679AZ |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6679AZ, P-Canal, 13 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -13 A, -30 V, 0.0077 ohm, -10 V, -1.9 V.
|
- |
Precio unitario: 0,698€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6680A |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.5 A, 30 V, 0.0095 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, FDS6680A, N-Canal-Canal, 12,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si, MOSFET, FDS6680A, N-Canal-Canal, 12.5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,218€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6680AS |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6680AS, N-Canal, 11,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la …
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 11.5 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.5 V.
|
|
Precio unitario: 0,258€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|
|
FDS6681Z |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -20 A, -30 V, 0.0046 ohm, -10 V, -1.8 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, FDS6681Z, P-Canal, 20 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si, Transistor MOSFET, Canal P, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V.
|
|
Precio unitario: 0,726€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6682 |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6682, N-Canal-Canal, 14 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.7 V.
|
- |
Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6690A |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6690A, N-Canal-Canal, 11 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 30 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.9 V.
|
- |
Precio unitario: 0,205€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6690AS |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6690AS, N-Canal-Canal, 10 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench, SyncFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 V.
|
- |
Precio unitario: 0,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6692A |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6692A, N-Canal-Canal, 9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC PowerTrench Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 30 V, 0.0082 ohm, 10 V, 1.2 V.
|
- |
Precio unitario: 0,400€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FDS6699S |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,522€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 183 |
|
|
FDS6875 |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, 6 A, -20 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -800 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -20 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -800 mV, Transistor digital, FDS6875, Dual SOIC, 8 pines.
|
|
Precio unitario: 0,399€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1014 |
|
|
FDS6890A |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
|
Precio unitario: 0,534€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2533 |
|
|
FDS6892A |
|
Fabricado por:
MOSFET, FDS6892A Dual, N-Canal, 7,5 A, 20 V, 8-Pin, SOIC On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC. El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar …
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 7.5 A, 20 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 900 mV.
|
|
Precio unitario: 0,280€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |