Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHB180N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 24 |
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SIHB20N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6927 |
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SIHB21N65EF-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 700V 21A 180mOhm TO-263 |
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Precio unitario: 2,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIHB21N80AE-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB21N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 17,4 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E |
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Precio unitario: 2,312€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB22N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49 |
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SIHB22N60E-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB22N60E-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 3,288€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB22N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.158 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHB22N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple.
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Precio unitario: 1,678€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1047 |
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SIHB22N60S-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB22N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,756€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1448 |
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SIHB23N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 211 |
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SIHB24N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 2,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 997 |
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SIHB25N50E-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 550V 26A 145mOhm TO-263 |
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Precio unitario: 2,648€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIHB28N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 600V 28A 107mOhm TO-263
Otros nombres: MOSFET, SIHB28N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) EF Series Simple Si.
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Precio unitario: 3,696€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIHB28N60EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 650V 28A 107mOhm D2PAK |
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Precio unitario: 2,406€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIHB30N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 600 V, 0.105 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,746€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |