Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHB068N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB068N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 41 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF |
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Precio unitario: 2,341€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB100N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.086 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHB105N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB105N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF |
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Precio unitario: 2,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB11N80AE-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB11N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E |
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Precio unitario: 0,983€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB11N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 944 |
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SIHB125N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 25 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SiHB125N60EF |
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Precio unitario: 1,790€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB12N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,926€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 747 |
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SIHB12N60E-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB12N60E-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 0,828€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB12N60ET5-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 600V 12A 380mOhm TO-263 |
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Precio unitario: 1,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIHB12N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,222€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 289 |
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SIHB15N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2068 |
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SIHB15N60E-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB15N60E-GE3, N-Canal-Canal, 15 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 1,370€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB15N80AE |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB15N80AE, N-Canal-Canal, 13 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E |
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Precio unitario: 2,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB17N80AE-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB17N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 15 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E |
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Precio unitario: 1,085€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHB17N80E-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHB17N80E-GE3, N-Canal-Canal, 15 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SiHB17N80E |
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Precio unitario: 3,123€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |